年（専攻） | 名前 | 題目 | 就職先 |
|---|---|---|---|
| 2022（3月）（理・物理） | 柴田 桂成 | チャネルロドプシンC1C2における レチナール発色団の構造変化と ゲーティング機構 (Structural changes of retinal chromophore and gating mechanism in channelrhodopsin C1C2) | |
2018（10月）（理・物理） | 中村 考宏 | マルチセクション半導体レーザーからの超短パルス発生 (Ultra-short pulse generation in multi-section semiconductor lasers) | 産総研・オペランドOIL・博士研究員 |
2018（3月）（理・物理） | 中前 秀一 | 反転分布状態の半導体量子井戸のバンド端における位相緩和抑制効果 | |
| 2016（3月）（理・物理） | 伊藤 隆 | 光励起利得スイッチ半導体レーザーによるフェムト秒パルス発生 (Femtosecond pulse generation by optically pumpedgain-switched semiconductor lasers) | SONY株式会社/ SONY |
| 2015（3月）（理・物理） | 朱 琳 ZHU, Lin | Effects of non-radiative recombination loss on multi-junction tandem solar cells（多接合タンデム太陽電池における非輻射再結合損失の効果） | |
| 2012（9月）（理・物理） | 王 瑜 WANG, Yu | Quantitative and in-situ spectroscopic study on color change in firefly bioluminescence（ホタル生物発光色変化の定量およびその場分光による研究） | Institute of Genetics and Developmental Biology, Chinese Academy of Sciences, Assistant professor |
| 2012（理・物理） | 丸山 俊 MARUYAMA, Shun | 半導体量子井戸における光励起キャリアの非平衡性 (Non-equilibrium energy distribution of photo-excited carriers in semiconductor quantum wells) | ウシオ電機株式会社 / Ushio Inc. |
| 2010（理・物理） | 岡野 真人 OKANO, Makoto | 電流注入型量子細線レーザー中の非中性電子・正孔系における光学利得 (Optical gain due to charge-imbalanced electron-hole systems in current-injection quantum-wire lasers) | 京都大学化学研究所 金光研究室・PD / Kanemitsu Lab. at Kyoto Unive. |
| 2009（理・物理） | 稲田 智志 INADA, Satoshi | 顕微分光法による InGaAsP 系光通信波長帯半導体レーザーの光学利得と内部損失の研究 (Investigation of optical gain and internal loss in InGaAsP telecommunication-wavelength semiconductor lasers by microscopic spectroscopy) | 東芝 セミコンダクター社 |
| 2008（理・物理） | 井原 章之 IHARA, Toshiyuki | 顕微発光分光法によるドープ量子細線中の１次元電子系の研究 (Investigation of one-dimensional electron systems in a doped quantum wire by microscopic photoluminescence spectroscopy) | 東大生産研・平川研・特任助教 |
| 2007（理・物理） | 伊藤 弘毅 IHARA, Hirotake | GaAsおよびInGaAsP系単一量子細線の低温顕微発光分光 (Microscopic photoluminescence spectroscopy of GaAs and InGaAsP single quantum wires at low temperature) | JST ERATO 十倉マルチフェロイックスプロジェクト・PD |
| 2006（新領域・物質系） | 高橋 和 TAKAHASHI, Yasushi | 顕微透過分光による量子細線の吸収及び利得の研究 (Absorption and gain in quantum wires studied by microscopic transmission spectroscopy) | 京大工・電子工学・野田研・PD |
| 2006（新領域・物質系） | 安東 頼子 ANDO, Yoriko | 発光量絶対値測定法の開発とホタルの発光量子収率 (Absolute photon-yield measurement and quantum yields of firefly bioluminescence) | 北大医・近江谷研・特任助教 |
| 2005（理・物理） | 早水 裕平HAYAMIZU, Yuhei | 量子細線における高密度電子正孔状態からのレーザー発振 (Lasing and high-density electron-hole states in quantum wires) | 産業技術総合研究所・ナノカーボン研究センター・PD |
| 2005（理・物理） | 鵜沼 毅也 UMUMA,Takeya | GaAs量子井戸中のサブバンド間遷移による赤外吸収と電子ラマン散乱 (Infrared absorption and electronic Raman scattering by intersubband transitions in GaAs quantum wells) | 東大生産研・平川研・PD |
| 2002（理・物理） | 渡邉 紳一 WATANABE, Shinichi | 顕微光学測定によるリッジ型量子細線レーザーの光学特性と電子状態の研究 | スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)・PD |
| 年（専攻） | 名前 | 題目 | 就職先 |
|---|---|---|---|
| 2014（理・物理）論文博士 | 木下基 KINOSHITA, Moto | アトミックキャンドルによるセシウム原子のラビ周波数測定に基づくマイクロ波絶対電力の計量標準 (Metrology Standard of Absolute Microwave Power Based on Measurement of the Rabi Frequency of Cesium using an Atomic Candle） | |
| 2004（理・物理）論文博士 | 吉田 正裕 YOSHITA, Masahiro | 半導体量子井戸および量子細線構造の界面ラフネス制御と顕微分光計測 (Interface roughness control and microscopic spectroscopy of semiconductor quantum wells and wires) |
| 年（専攻） | 名前 | 題目 | 就職先 |
|---|---|---|---|
2020（理・物理） | 廣瀬 修平 | 温度勾配をもつ半導体太陽電池における光起電力と熱電効果 | アクセンチュア株式会社 / accenture PLC |
| 2019（理・物理） | 柴田 桂成 | 量子構造中に高密度励起されたキャリア間の散乱による非輻射緩和及び発光に関する研究 | 博士進学 / doctorates course |
| 2019（理・物理） | 小松原 望 | InGaAs系高利得量子井戸半導体レーザーの開発及び評価測定 | ソニー / SONY |
| 2015（理・物理） | 中前 秀一 | 縦型光励起半導体レーザーの利得スイッチング動作 | 博士進学 / doctorates course |
| 2015（理・物理） | 村岡 洋祐 | 青色領域における化学発光絶対量計測系の校正と応用 | 日亜化学工業株式会社 / Nichia Corporation |
| 2014（理・物理） | 中村 考宏 | 縦型光励起半導体レーザーの開発と励起効率の物理計測 | 博士進学 / doctorates course |
| 2014（理・物理） | 佐藤 慎太郎 | p-i-n接合太陽電池におけるキャリアの生成と分離の研究 | 日立製作所 中央研究所 / Hitachi, Ltd. |
| 2013（理・物理） | 横山 冬矢 | 半導体レーザーの大電流利得スイッチング動作による短パルス光の発生 | アクセンチュア株式会社 / accenture PLC |
| 2012（理・物理） | 福田 圭介 | 単一量子細線における中性及び非中性電子正孔系の光学利得 | シャープ株式会社 / Sharp corporation |
| 2010（理・物理） | 渡辺 和彦 | 生物化学発光絶対量計測系の校正と応用 | カンタツ株式会社 |
| 2009（理・物理） | 丸山 俊 | 量子井戸の界面ラフネスによる励起子の局在と発光励起スペクトル形状 | 博士進学 /doctorates course |
| 2008（理・物理） | 宗像 孝光 | 電流注入7nm×7nm T型量子細線レーザーの作製と評価 | 住友商事株式会社 / Sumitomo Corporation |
| 2007（理・物理） | 岡野 真人 | 量子細線への電流注入及びレーザー発振特性 | 博士進学/doctorates course |
| 2007（理・物理） | 岡田 高幸 | 導波路放出光解析による量子細線の光吸収測定 | モルガン・スタンレー証券株式会社 |
| 2006（理・物理） | 稲田 智志 | 量子細線およびInGaAsP系量子井戸レーザーデバイスの透過吸収測定 | 博士進学/doctorates course |
| 2005（新領域・物質系） | 木下 基 | 広帯域波長可変外部共振器型半導体レーザーの開発 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 2005（理・物理） | 井原 章之 | n型ドープGaAs量子細線における一次元電子系のフェルミ端特異性 | 博士進学/doctorates course |
| 2004（新領域・物質系） | 伊藤 弘毅 | 量子細線の発光励起スペクトルによる一次元電子構造の研究 | 博士進学/doctorates course |
| 2003（新領域・物質系） | 高橋 和 | 量子細線レーザーの発振モードと利得の顕微分光測定 | 博士進学/doctorates course |
| 2002（理・物理） | 早水 裕平 | 高品質単一量子細線レーザーにおける発光及び発振特性 | 博士進学/doctorates course |
| 2002（理・物理） | 鵜沼 毅也 | 量子井戸構造におけるサブバンド間赤外吸収線幅に対する 界面凸凹散乱の効果 | 博士進学/doctorates course |
| 2000（理・物理） | 高橋 輝行 | GaAs量子井戸におけるサブバンド間遷移の赤外分光 | 株式会社 博報堂 |
| 1999（理・物理） | 渡邉 紳一 | リッジ型量子細線レーザー構造における発光・発振特性の顕微光学評価 | 博士進学/doctorates course |
| 1998（理・物理） | 佐々木 岳昭 | ソリッドイマージョンレンズを用いた高空間分解顕微蛍光計測 | 旭化成株式会社 / AsahiKASEI corporation |
